Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Photodetecctors using Si, Ge and other group IV alloys are of current interest for use at telecommunication wavelength 1550 nm. We have presented in this paper our work on resonant cavity enhanced (RCE) Si/SiGe multiple Quantum Well (MQW) and Ge Schottky photodetectors. Tensile strained Ge layers grown with suitable barriers show direct gap type I band alignment. Predicted performance of photodetectors...
Si-based photodetectors are currently studied for providing cheap solution to long haul and short distance communication and optical interconnects. Tensile strained Ge layers grown with suitable barriers show direct gap type I band alignment. We have worked on resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors using Ge/SiGe type I structure. Performance of photodetectors using strong quntum confined Stark...
Active photonic devices like efficient light emitters and high speed modulators using Si and other group IV materials are difficult to realize due to indirect nature of band gap in silicon, germanium and their alloys. At present, efficient light emission has been observed by exploiting stimulated Raman scattering in silicon that needs optical pumping. An alternate route has been found recently that...
The electroabsorption modulators made of InGaAsP/InP multiple quantum wells (MQWs) are used in optical fibre communication links. EAMs also find applications in various other areas, an example being narrow pulse generation. The pulse width of generated pulses depends on EA modulator extinction efficiency. The operation of the devices is based on quantum confined Stark effect (QCSE). There have been...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.