Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report a novel phase transition memory (PTM) where we employ electric field and temperature induced phase transition to store, erase and read information within a single electronic element. The devices operate without the need for charge transport through insulator films for charge storage in a floating gate thus avoiding a variety of retention and reliability issues of the conventional floating...
There have been numerous proposals for use of metal–oxide materials as an alternative to semiconductors in field-effect transistors (FET), as current Si FET technology inevitably encounters intrinsic scaling limitations. We report on device-independent power–delay characteristics of potential VO 2 -based field induced Mott transistors and compare scaling limits to that of Si. Since the critical...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.