Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work claims that VO2, of interest currently for its metal-insulator phase transition properties, is also a ferroelectric material. Using a VO2 film sandwiched between two silicon dioxide layers, memory transistor structures with substantial and useful properties have been fabricated. Threshold voltage shifts are opposite of charge trapping phenomena and consistent with ferroelectric polarization...
We report a novel phase transition memory (PTM) where we employ electric field and temperature induced phase transition to store, erase and read information within a single electronic element. The devices operate without the need for charge transport through insulator films for charge storage in a floating gate thus avoiding a variety of retention and reliability issues of the conventional floating...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.