Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
QR decomposition is an essential operation in various detection algorithms utilised in multiple-input multiple-output (MIMO) wireless communication systems. This study presents a Givens rotation-based QR decomposition for <alternatives>$4\times 4$<mml:math overflow="scroll"><mml:mn>4</mml:mn><mml:mo>×</mml:mo><mml:mn>4</mml:mn></mml:math><inline-graphic xlink:href="IET-COM.2016.0789.IM1.gif" /></alternatives>...
This brief presents a novel two-dimensional parallel sorting algorithm for high-throughput K-best detectors utilised in multiple-input multiple-output (MIMO) systems. The proposed sorting algorithm enhances the throughput by sorting a data set in parallel and avoids the relatively long latency of the traditional algorithms. This is especially important in MIMO systems utilising high-order modulation...
Robust, efficient and low complexity design methodologies for high speed multi-band orthogonal frequency division multiplexing ultra-wideband (MB-OFDM UWB) is presented. The proposed design is implemented in 0.13μm CMOS technology with the core area of 2.66mm × 0.94mm. Operating at 132MHz clock frequency, the estimated power consumption is 170mW.
In this paper, the power gain improvements by stress contact etch stop layer (CESL) in a 65-nm nMOSFET were studied. Compared to the conventional nMOSFET, the device with CESL stress shows an extra 6% power gain enhancement for the increased stress in the channel region. This study also presents the polyharmonic distortion (PHD) model extraction by X-parameters measurement when the power transistor...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.