Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An integrated GalnP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) regenerative frequency divider (RFD) with active loads is demonstrated at 4 GHz -26 GHz. In this work, the RFDs with resistive loads and active loads are fabricated in the same chip for comparison. From the measured results, the active-loading type obviously has wider operating frequency and lower input sensitivity. The fmax/fmin ratio...
The first integrated GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) injection-locked frequency divider (ILFD) with the stacked transformers is demonstrated at 9.60-10.38 GHz. The stacked transformers formed by only two metal layers provide the inductive coupling in the cross feedback and separate biasing for base and collector to allow for the larger voltage swing in the LC tank and increasing...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.