Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A JPEG XR chip for HD-Photo is implemented with 25 mm2 area in TSMC 0.18 um CMOS 1P6M technology at 100 MHz. According to the simulation results, the 4:4:4 1920x1080 HD-Photo 20 frames/sec can be encoded smoothly.
The chemical and plasma oxidation behaviors of NiSi and NiPtSi salicide films in a 65 nm node CMOS device fabrication process have been investigated. By incorporating Pt into the nickel salicide formation process, the oxidation rate can be effectively reduced during both salicidation etch/clean and contact plasma etch processes. Data collected from this study suggests both stronger chemical bonding...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.