Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this letter, for both non-degenerate conduction and degenerate conduction, a new compact model of amorphous oxide semiconductor thin-film transistors is developed. The contributions of the trapped and free charges are considered in the closed-form solutions of surface potential and drain current under a degenerate regime. Furthermore, proof of the model’s accuracy has been obtained by comparisons...
A closed-form drain current model for amorphous oxide semiconductor thin-film transistors is proposed in this paper. By adopting the effective charge density method and reformulating Lambert W function as two different exponential terms in different regions, both non-degenerate and degenerate conduction regimes are taken into account. Furthermore, an I–V model considering both the trapped and free...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.