Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The inverted organic light-emitting diodes (IOLEDs) have been fabricated using the hybrid-p-doped hole transport layer consisting of MoO3-doped N,N′-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (NPB:MoO3) and 2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8,-tetracyano-quinodimethane-doped NPB (NPB:F4-TCNQ). Compared with the IOLED using the 20 nm NPB:MoO3/Al, the one using the 10 nm NPB:F4-TCNQ/10 nm NPB:MoO3/Al...
The hole-injecting structure of 15 nm MoO3-doped 4,4-N,N-bis [N-1-naphthyl-N-phenyl-amino]biphenyl (NPB:MoO3)/5 nm MoO3-doped 4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl (CBP:MoO3) has been used in organic light emitting diodes (OLEDs). It was found that a device using the 15 nm NPB:MoO3/5 nm CBP:MoO3/NPB combination was superior to one adopting the 20 nm NPB:MoO3/NPB combination due to two major causes: the NPB:MoO...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.