Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present an experimental study of thermal conduction in 1 µm thick suspended CVD diamond film by time-domain thermoreflectance (TDTR), an optical pump-probe technique. Important aspects of signal analysis and measurement sensitivity are discussed, outlining the various thermal metrology challenges posed by this system. We measure the properties of the near-interfacial coalescence region and high-quality...
Self-heating effects severely limit the performance of high-power gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs). High thermal resistances within micrometers of the transistor junction often dominate the junction temperature rise and fundamentally restrict the device power handling capability. The use of high-thermal-conductivity diamond near the junction can address this thermal...
High-power operation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) requires efficient heat removal through the substrate. GaN composite substrates, including the high-thermal-conductivity diamond, are promising, but high thermal resistances at the interfaces between the GaN and diamond can offset the benefit of a diamond substrate. We report on measurements of thermal resistances at GaN–diamond...
Due to their high thermal conductivity, diamond substrates are seen as a way to minimize the thermal resistance present in High Electron Mobility Transistor (HEMT) structures based on GaN. Single-crystal AlN transition layers facilitate the growth of high quality GaN on diamond, but such layers may increase the total thermal resistance of the composite substrate. This manuscript measures the thermal...
High-power operation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) requires efficient heat removal through the substrate. GaN composite substrates including high-thermal-conductivity diamond are promising, but high thermal resistances at the interfaces between the GaN and diamond can offset the benefit of a diamond substrate. We report on measurements of the thermal resistances at the GaN-diamond...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.