Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present direct bandgap photoluminescence from carrier confinement in Ge/SiGe quantum wells in a microdisk resonator. Based on simulation and experimental results, the Ge/SiGe quantum well structure has great potential to serve as a low pump power Ge laser.
In this paper, we report the enhanced direct band gap photoluminescence from carrier confinement in Ge quantum wells with SiGe barriers at room temperature. We have also fabricated a microdisk resonator and present the tapered-fiber coupled high-Q cavity mode from Ge quantum wells.
The strong electroabsorption modulation possible in Ge/SiGe quantum wells promises efficient, CMOS-compatible integrated optical modulators. We demonstrate surface-normal asymmetric Fabry-Perot and microdisk resonator modulators employing Ge quantum wells grown on silicon.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.