Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
For the first time, we report the positive bias temperature instability of the back gated multilayer MoS2 n-MOSFETs with Al2O3 gate dielectric. In the stress phase, the ${I}_{d}$ –${V}_{g}$ curve shifts to the positive gate bias. In the recovery phase, it shifts back to the negative gate bias. After 5000 s recovery, it completely recovers to that of the fresh device. The results indicate that the...
The power consumption in electronic devices is the major challenge as increasing the demand of IC chips. To lower the VDD and AC power (PAC), both high mobility material and steep turn-on device technology are useful. The ferroelectric high-κ HfZrO MOSFET can realize not only a small sub-threshold slope (SS) <60 mV/dec for low VDD and PAC, but also a smaller aspect ratio FinFET. The small bandgap...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.