Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The low-frequency fluctuations of tunneling current in GaAs/AlAs/GaAs single-barrier heterostructure devices were measured for three samples with different Si-planar-doping in the center of 10.2 nm-thick barrier. The diameter of the mesas were close to 100 micrometers. Upon changes of the biasing voltage across the barrier the character of noise spectra also changed — depending on various electron...
We have realised an electroluminescent device in which electron are injected into intersubband polariton branches. We reproduce electroluminescence spectra by using a phenomenological model, in which a voltage dependent injection is taken into account.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.