Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Cubic GaInN/GaN multi-quantum wells (MQWs) are grown on V-grooved Si {100} substrates. The crystal phase is confirmed by electron-back scatter diffraction and cathodoluminescence shows room temperature MQW peak emission at 498 nm.
A metal photonic crystal integrated on the n+-doped top contact layer of an InAs quantum-dot infrared photodetector is investigated. The contact layer thickness impacts the photoresponse by the leaky mode characteristics of this antiguide structure.
Second harmonic generation (SHG) based on the enhancement of the local fields of nanoscale periodic, GaAs-filled holes in a metal film is presented. The highest SHG conversion efficiency achieved was 10−5 at 8 GW/cm2 input peak power, limited by multi-photon absorption and the resultant free-carrier absorption.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.