Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
As technology has advanced, layout dependent device parameter shifts are becoming more influential to the actual circuit operation and performance, such that design style differences could create systematic device variability due to layout unless those effect are minimized and well captured in the device model[1]. In this paper, we characterize the device layout effects on a high performance planar...
We propose a novel SiGe superlattice band-gap engineered (SBE) capacitorless dynamic random access memory (DRAM) cell with the 30 nm channel by the 2D TCAD simulation. The SBE capacitorless DRAM cell used a common source structure and different metal layers for the top gate word line from the bottom gate word line to realize the 4F2 (0.0036 μm2) feature size. From the 2D TCAD simulation of the SBE...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.