Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Reported is the development of λ ~ 4 μm highly strain-compensated In0.7Ga0.3As/In0.34Al0.66As/InP quantum cascade lasers grown by metal organic vapour phase epitaxy. 10 μm-wide and 3 mm-long devices with as-cleaved facets deliver more than 2.4 W of peak optical power from both facets at 300 K with threshold current density of 2.5 kA/cm2. The lasers operate up to at least 400 K with characteristic...
We report the development of high temperature pulsed GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers emitting in the wavelength range of 9 μm with threshold current density as low as 4.3 kA/cm2 at 300K.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.