Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, thermal-catalytic chemical vapor deposition (thermal-CVD) is used to improve the quality of carbon nanotubes (CNTs) by varying the thickness of catalyst (Ni), processing time of the hydrogen treatment, flow rate of reaction gas (C2H2). And also the properties of CNTs on different buffer layers (W,Ti, etc) in microstructures on glass substrates are studied. The grown CNTs are examined...
In this paper, individual molybdenum nanotip electrical properties and field emission are studied. Molybdenum nanotips are synthesis on stainless steel substrate by the method of thermal vapor deposition in a chamber with the vacuum of 7 Pa and are characterized by SEM, TEM and EDS.
Here we have successfully synthesized patterned W18O49 nanowire arrays in large scale by lift-off way, which has described in our report also to this conference. In order to remove the aluminum oxide layer, the sample was put into the phosphoric acid with a concentration of 60 % (volume ratio). The treatment time in 90°C water bath was usually about 4 hours. The treated and untreated tungsten oxide...
Studies on micro-fabrication processes on integrating amorphous Si nanowires (a-SiNWs) arrays into a triode device structures were performed. Self-aligned technique was employed. Uniform a-SiNW array and gated a-SiNW triode device structure were obtained. The work provides a possibility for fabricating crosslink addressable arrays of a-SiNW triode devices on low cost and large area glass substrates.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.