Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report C-band waveguide-integrated GeSi electro-absorption modulators with 3dB-bandwidth beyond 50GHz. The DC extinction ratio is 4.2±0.3dB with 4.4±0.6dB insertion loss and the dynamic extinction ratio is 3.0dB at 50Gb/s NRZ-OOK with a 2 V swing.
We report waveguide-integrated Ge electro-absorption modulators operating at 1615nm wavelength with 3dB bandwidth beyond 50GHz and a capacitance of 10fF. A 2V voltage swing enables 4.6dB DC extinction ratio for 4.1dB insertion loss.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.