Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
HFET's fabricated from nitride-based wide bandgap semiconductors can produce RF output power greater than an order of magnitude compared to devices fabricated from traditional semiconductors such as GaAs and InP. Nitride-based HFET's can support drain bias voltages in the range of 40-50 V, and have been biased as high as 120 V using device designs that make use of field-plate technology. However,...
Wide bandgap semiconductors are used to fabricate field-effect transistors with significantly improved RF output power compared to GaAs and InP-based devices. The critical electric fields for avalanche ionization in wide bandgap semiconductors, such as SiC and GaN, are about an order of magnitude greater than for traditional semiconductors such as Si, GaAs, and InP. Nitride-based HFET's can support...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.