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Molekulare UND‐Gatter mit ultrahoher Ladungsspeicherkapazität haben das Potential für die nächste Generation dynamischer RAM‐Speicher. Die Ferrocen‐terminierten Monoschichten auf oxidfreien Siliciumsystemen ermöglichen ein stabiles und unabhängiges Schalten sowohl mit Licht als auch durch ein elektrisches Potential und entsprechen somit einem UND‐Gatter (siehe Bild).
Kommunikationskontrolle: Die elektronische Kommunikation zwischen Ferrocenylzentren an Siliciumoberflächen kann effizient gesteuert werden, und zwar laut elektrochemischer Rastermikroskopie (SECM) sowohl über die Oberflächenbedeckung der elektroaktiven Einheiten als auch über die Art des Redoxvermittlers. Die laterale Ladungspropagation kann so von einem extrem langsamen bis zu einem sehr schnellen...
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