Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we present an 880 MHz common-drain power amplifier (CDPA) in 130 nm CMOS technology. New PA topologies are required to address the issues of linearity, reliability, and efficiency. The CDPA is one such promising topology. Owing to the inherent feedback nature of a CDPA, the output voltage is a replica of input voltage, thus making the CDPA a highly linear amplifier with good efficiency...
In this paper, we present an 880 MHz common-drain power amplifier (CDPA) in 130 nm CMOS technology. New PA topologies are required to address the issues of linearity, reliability, and efficiency. The CDPA is one such promising topology. Owing to the inherent feedback nature of a CDPA, the output voltage is a replica of input voltage, thus making the CDPA a highly linear amplifier with good efficiency...
This paper presents a highly linear low-band 706MHz LTE compatible class-O RF power amplifier in 130nm CMOS technology for handheld wireless applications. Class-O topology uses a combination of common-source and common-drain amplifiers working in parallel with high linearity without the need for digital predistortion(DPD). With continuous wave measurements, 1-dB compression point (P1dB) of 30.6dBm...
Integration of RF transceiver blocks along with the digital signal processing part in CMOS is becoming the trend in the semiconductor industry for lower cost and smaller form factor. Nowadays, the interest is even growing towards implementing the RF PA in CMOS technology. Cost reduction, diversifying means of fabrication and the addition of performance enhancement circuitry are the main reasons behind...
Power amplifiers (PAs) in CMOS technology have drawn considerable interest for meeting 4th generation (4 G) wireless standards due to their low cost and high level of integration. At increasing power levels, (around 1 W), it becomes challenging to meet the linearity constraints. In this paper, we investigate a differential common source class-AB RF PA employing floating body and compare it with a...
This paper presents the conceptual design of a compact 2×2 array receiver for GNSS applications. Besides mere miniaturization, the goal of this work is also investigation on novel techniques for coping with the strong mutual coupling imposed in electrically small antenna arrays and RF front ends, by means of eigenmode reception and digital beamforming in the beam space.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.