Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate electronic sequential tunneling transport through the ground‐state subbands of GaN/Al0.15Ga0.85N quantum cascade structures grown on free‐standing GaN substrates. A pronounced transition from a high‐ to a low‐resistance state is observed as the applied voltage is increased. The measured current‐voltage characteristics are found to vary with temperature, structure design, and polarity...
With the advent of bulk single crystal AlN substrates, AlxGa1‐xN epilayers can be grown pseudomorphically, under a compressive strain, with Al composition greater than 70%. Temperature dependent Hall effect measurements showed that Si dopant in AlxGa1‐xN has an activation energy ranging from 10 to 25 meV for x < 0.8, while the activation energy increases rapidly for x ≥ 0.85. Planar Ni/Au Schottky...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.