Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
4H-SiC bipolar Darlington transistors with a record-high current gain have been demonstrated. The dc forced current gain was measured up to 336 at 200 W/cm2 ( JC = 35 A/cm2 at VCE = 5.7 V) at room temperature. The current gain exhibits a negative temperature coefficient and remains as high as 135 at 200degC. The specific on-resistance is 140 mOmegamiddotcm2 at room temperature and increases at elevated...
Degradation in both current gain and specific on-resistance of fabricated 4H-SiC BJTs have been observed after a short period of operation. In this paper, 1200 V BJTs were stressed and factors that cause the degradation are proposed. The degradation may be attributed to the increase of the surface states density along the SiC/SiO2 interface, which results in an increased surface recombination current...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.