Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate multi-VT engineering on both CMOS bulk and FinFET devices through As implantation into a 1.0nm EOT TiN/high-K gate stack within a single metal single dielectric approach. We determine a As implantation process window enabling VT tuning without any device degradation. It is shown that this approach is suitable for multi-VT engineering with aggressively scaled dielectrics and, particularly,...
Two SMSD gate first planar CMOS devices were demonstrated. Vtn/Vtp= +0.49V/-0.48V were achieved by adjusting TiN to p-like metal and As I/I on nMOS. This enables the equivalent +/-0.2V low Vt target of N22 fully depleted CMOS technologies. Vtn/Vtp= 0.52/-0.55 were obtained by transforming PVD-TiN/Ti into n-like metal TiN/TiSix for nMOS and by Al I/I on TiN/Ti for pMOS. Al diffusion was facilitated...
Easily integrable cost effective gate first Single Metal Single Dielectric (SMSD) solution based on As implantation into TiN/HfO2 with ~1 nm EOT is presented. A consistent n-type shift of 250 mV down to 35 nm Lg is obtained by As I/I compared to the reference stack. Symmetrical threshold voltages (~ plusmn0.5 V) are met for the bulk planar devices using this technique, which would corresponds to low-V...
We investigate the influence of aluminum oxide (AlO) capping on SiON on the threshold voltage and I on of Poly-Si/TiN gated pMOSFETs. The AlO capping resulted in threshold voltage (V T ) reduction and improvement in drive current (I on ) for Poly-Si/TiN/ gated pFETS. The AlO capping on SiON also improved the interface quality making the gate stack more thermally stable. The...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.