Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The blockage of the hole transport due to the excess hole in SiGe quantum dots was observed in the metal-oxide-semiconductor (MOS) tunneling diodes for the first time. The hole tunneling current from Pt gate electrode to p-type Si dominates the inversion current at the positive gate bias and is seven order of magnitude higher than the Al gate/oxide/p-Si device. The SiGe quantum dots confine the excess...
Pt/oxide/n-6H-SiC tunneling diode has been fabricated using liquid phase deposited oxide as the tunneling oxide. At the negative bias, the electrons can be injected from the Pt gate to n-SiC, and recombine radiatively with the trapped holes in the defects near the oxide/SiC interface. The electroluminescence at room temperature from the SiC MOS tunneling diodes is observed for the first time. The...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.