Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A physics-based analytic model with no fitting parameters is introduced for the AlGaN/GaN HFET. For unsaturated operation, non-linear analytic models for the I-V characteristics in the two access regions and beneath the gate are developed. The resulting equations are linked together by voltage and current continuity at the boundaries. Good agreement between the model and corresponding simulations...
A physics-based analytic model is built based on the discovery of a new zone in AlGaN/GaN HFETs that is observed in 2D device simulations, especially at high drain bias. The zone is located in the drain access region and is named the "charge deficit zone" after its particular property of a partially filled quantum well. This zone plays an important role when the HFET is under high drain...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.