Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Local field potentials (LFPs) contain relevant information about neuronal population activity [1]. They are commonly measured in the brain to investigate information processing by neural circuits and for neuroprosthetics applications. We present a novel method allowing for in vivo ‘electrical imaging’ of LFPs. An oxide-insulated neural probe was implanted in the brain of a rat, establishing a capacitive...
In this paper, the authors investigate the impact of device interconnect parasitics on the two most commonly-accepted RF small-signal figures-of-merit, the transit frequency (fT) and the maximum frequency of oscillation (fmax) in state-of-the-art SiGe HBT technology. Simulations and measurement results are provided as a guideline to design an optimum device interconnect scheme to achieve a high fmax...
The integration of lattice mismatched semiconductors on Si(001) is of fundamental importance to further in-crease the performance and/or functionality of today's Si integrated circuits. The theory of compliant substrate effects offers the vision to integrate defect-free alternative semiconductor structures on Si. This concept is based on balancing the mismatch strain between the overgrowing epitaxial...
We present a SiGe BiCMOS technology featuring high-speed HBTs with peak transit frequencies fT of 240 GHz and maximum oscillation frequencies fmax of 330 GHz at breakdown voltages of BVCEO=1.7 V. The high-speed HBTs are integrated in a 0.13 µm RF CMOS process along with high-voltage HBTs (fT=40 GHz, fmax=120 GHz, BVCEO=4.5 V) and a set of passive RF components. CML ring oscillator gate delays of 2...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.