Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The crystallization behavior of Er-doped Ge2Sb2Te5 phase-change materials is investigated systemically for phase change memory application. It is observed that Er dopants can serve as a center for suppression of face-centered-cubic to hexagonal phase transition of Ge2Sb2Te5 films, leading to a one-step crystallization process. The crystallization temperature, 10-year data retention ability and crystalline...
Ge-rich Ge-Te-Zn thin films were investigated for phase change memory application. The crystallization behavior is improved by adding Zn into the Ge2Te material. The crystallization temperature of the Zn16.1Ge57Te26.9 film is 297 °C and the crystalline activation energy is about 4.02 eV. The 10-years’ failure temperature for Zn16.1Ge57Te26.9 film is about 202.4 °C, implying high thermal stability...
The thermal stability and crystallization characteristics of W-doped Sb3Te films have been studied systematically. It was found that W atoms presented in the form of amorphous content, which increased the crystallization temperature and crystalline resistance, sustained uniform single crystalline structure and refined their grain size of Sb3Te films. The optimized W20.1(Sb3Te)79.9 film exhibits higher...
In this paper, phase change characteristics of Sb-rich Ga–SbSe materials were systematically investigated for ultralong-retention and high-speed phase change memory (PCM). Sb-rich Ga–Sb–Se materials possess crystallization temperature higher than 225°C and activation energy of crystallization above 3.0eV, which leads to outstanding data retention ability in excess of 135°C for 10years. The film thickness...
The amorphous Ge 11.4 Te 86.4 Ga 2.2 chalcogenide thin films were prepared by thermal evaporation onto chemically cleaned glass substrates. Properties measurements include X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM), Differential scanning calorimetry (DSC), Four-point probe and VIS–NIR transmission spectra. The allowed indirect transition optical band gap and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.