Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Passivating junctions, like hole-collecting p-polycrystalline silicon/SiOx/crystalline silicon junctions, need a thermal activation to activate their excellent passivation and contact properties. Here, the diffusion of boron from the highly doped poly-Si layer into the Si is often considered to compromise the passivation quality. In contrast we show that at least a slight diffusion of boron into the...
Different models exist describing the current transport in polycrystalline Si/SiOx/crystalline Si junctions. Besides tunneling through thin oxides, transport through pinholes is discussed. We investigate the influence of annealing temperature on the structural properties of polycrystalline Si/SiOx/crystalline Si interfaces and analyze the formation and evolution of holes by high resolution transmission...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.