Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In article number 2004276, Rong Yang, Guangyu Zhang, and co‐workers develop an in situ oxygen substitutional doping in MoS2 monolayers by one step chemical vapor deposition process and lateral heterostructures with controlled doping concentrations are reliably fabricated. The bandgap tunability (from 2.25 to 1.75 eV) and n‐doping electronic properties are realized. This nondestructive oxygen doping...
In 2D semiconductors, doping offers an effective approach to modulate their optical and electronic properties. Here, an in situ doping of oxygen atoms in monolayer molybdenum disulfide (MoS2) is reported during the chemical vapor deposition process. Oxygen concentrations up to 20–25% can be reliable achieved in these doped monolayers, MoS2‐xOx. These oxygen dopants are in a form of substitution of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.