Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Room temperature 1.6 mum p+-Si/beta-FeSi2/n+-Si double heterostructures light-emitting diodes is fabricated on Si(111) substrate using molecular-beam epitaxy. The electroluminescence intensity is improved by increasing the thickness of beta-FeSi2 active layer and by embedding the beta-FeSi2 at heavily-doped Si p-n junction, which is making it possible to evaluate the emission power and quantum efficiency...
We have fabricated Si/β-FeSi2/Si double heterostructures light-emitting diodes on Si(001) by molecular beam epitaxy and 1.6 μm electroluminescence was realized at room temperature. The origin of luminescence was investigated using time-resolved photoluminescence measurements.
Ferromagnetic Fe 3 Si/CaF 2 /Si hybrid structures were grown epitaxially on Si(111) by molecular beam epitaxy. It was difficult to prevent inclusion of FeSi in the grown films in the case that Si and Fe were directly deposited on the Si substrate. This problem was overcome by inserting a CaF 2 epitaxial film between the Fe 3 Si and Si substrate. Fe 3 Si films...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.