The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono-GaN m.in...
W ramach artykułu zaprezentowaliśmy wyniki prac dotyczących kontroli struktury, morfologii, własności transportowych i optycznych cienkich warstw tlenku cynku (ZnO) wytwarzanych na drodze magnetronowego rozpylania katodowego. Wykorzystując zaawansowany reaktor rozpylania katodowego umożliwiający kontrolę parametrów procesu osadzania takich, jak temperatura podłoża, przepływ gazów, ciśnienie gazów,...
Parametry elektrofizyczne azotku galu wytwarzanego w postaci warstw epitaksjalnych na krzemie oraz dostępność podłoży krzemowych o dużej średnicy sprawiają, że tranzystory HEMT AlGaN/GaN/Si stanowią poważną konkurencję dla przyrządów krzemowych w układach dla energoelektroniki nowej generacji. W pracy omówiono różne konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy. Przedstawiono...
W artykule opisano możliwości kontroli mikrostruktury i funkcjonalności cienkich warstw ZnO jakie wynikają z zastosowania do ich wytwarzania najnowszej generacji rozwiązań dla magnetronowego rozpylania katodowego. Omówiony został wpływ ciśnienia całkowitego mieszaniny gazów roboczych, stosunku przepływu tlenu do argonu w mieszaninie oraz temperatury podłoża podczas wzrostu warstw na ich mikrostrukturę...
W opracowaniu proponujemy nową technikę kontroli koncentracji dziur w warstwach Zn-Ir-O przy zachowaniu wysokiego poziomu transmisji optycznej. Prezentowane podejście polega na wprowadzeniu krzemu do cienkich warstw o strukturze spinelu w trakcie procesu osadzania. Dodanie tlenku krzemu o amorficznej mikrostrukturze do tlenku irydu zapobiega powstawaniu faz krystalicznych IrO2wspomagając amorfizację...
W pierwszej części niniejszego opracowania, prezentujemy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów cienkowarstwowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O oraz wyniki naszych badań w tej materii. Symulacje numeryczne mogą być stosowane do przewidywania parametrów elektrycznych zaprojektowanych struktur TFT przed wytworzeniem rzeczywistych przyrządów. Seria czasochłonnych procesów technologicznych...
Kontakty prostujące stanowią główny element w konstrukcji diod Schottky’ego i tranzystorów MESFET zapewniających niski pobór mocy układów scalonych i płaskich wyświetlaczy z aktywnymi matrycami. W niniejszej pracy proponujemy wytworzenie bariery Schottky’ego do a-IGZO w oparciu o przezroczysty tlenek przewodzący (ang. Transparent Conductive Oxide, TCO) Ru-Si-O. Skład atomowy i amorficzna mikrostruktura...
W artykule omówiono proces technologiczny wytwarzania diody elektroluminescencyjnej Al(In)GaN/GaN o emisji promieniowania w zakresie 380…400 nm z maksimum dla 384 nm oraz dostosowanych do niej kryształów fotonicznych. Zastosowanie kryształu fotonicznego w formie współśrodkowych pierścieni o stałej sieci 3 μm i wypełnieniu 60% wytrawionych w strukturze DEL pozwoliło na ponad dwukrotny wzrost mocy promieniowania,...
W artykule przedstawiono rezultaty badań hybrydowych układów wejścia wyjścia dla fali elektromagnetycznej z zakresu widzialnego i około widzialnego w strukturach optyki zintegrowanej. Przedstawione w publikacji hybrydowe układy wejścia-wyjścia dla falowodu planarnego wykorzystują sprzęgacz pryzmatyczny (układ wejścia), struktury fotoniczne ze sprzęgaczami siatkowymi (układ wyjścia). Ponadto w artykule...
W artykule przedstawiono wyniki modelowania normalnie wyłączonego tranzystora HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN. Zbadano wpływ poszczególnych elementów konstrukcji na parametry elektryczne tranzystora, w szczególności na wartość napięcia progowego (Vth) oraz maksymalnej wartości prądu drenu w stanie włączenia tranzystora. Przedstawiono zależność parametrów tranzystora od składu warstwy buforowej AlxGa...
Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące wytwarzania priodycznych struktur w azotku galu przy pomocy techniki nanostemplowania oraz trawienia w plazmie o wysokiej gęstości. W eksperymencie posłużono się stemplami polimerowymi wykonanymi techniką nanostemplowania w trybie termicznym i UV. Matryce dla stempli wykonano przy użyciu techniki litografii laserowej oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową...
Przedstawiono procesy precyzyjnego trawienia cienkiej warstwy AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN. Trawienia cienkich warstw AlGaN prowadzono w plazmie dużej gęstości BCI₃/Ar uzyskując szybkości trawienia na poziomie 10 nm/min. Dla metalizacji Ti/Al/Ni/Au najniższą wartość rezystancji kontaktu AI₂₈Ga₇₂N/(Ti/AI/Ni/Au), wynoszące Rc= 1 Ωmm i rc = 2 • 10 ⁻⁵ Ωcm², zaobserwowano dla głębokości...
W artykule przedstawiono badania oddziaływania wybranego środowiska gazowego ze strukturami sensorowymi wykonanymi w oparciu o tlenek cynku - materiał półprzewodnikowy z szeroką przerwą energetyczną. Badania ukazują zmiany właściwości optycznych - zmiany spektralnych charakterystyk transmisyjnych warstw sensorowych tlenku cynku w wyniku odziaływania struktury ze środowiskiem gazowym - dwutlenkiem...
Przedstawiono wyniki komplementarnej charakteryzacji, technikami XRD i XAS, cienkich warstw Ti-Si-C osadzanych metodą wysokotemperaturowego magnetronowego rozpylania katodowego na podłożach szafirowych (00.1) z wykorzystaniem targetów pierwiastkowych Ti, Si i C. Badania dyfrakcyjne wykazały silną zależność składu fazowego warstw od wielkości mocy podawanych na poszczególne targety podczas ich osadzania,...
Omówiono zagadnienia związane z zarządzaniem projektem Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki. i technik sensorowych (InTechFun) i przedstawiono wyniki analizy finansowej i organizacyjno-prawnej. Dokonano oceny głównych źródeł ryzyka organizacyjnego i przedyskutowano proponowane i podjęte środki zaradcze. Pokazano, że wskaźniki celu...
W pracy przedstawiono wyniki badań procesów kształtowania wzorów w azotku galu i węgliku krzemu przy użyciu techniki fotolitografii optycznej oraz trawienia plazmowego ICP. Do trawienia GaN stosowano plazmy chlorowe BCl₃/Cl₂ lub CI₂/Ar. Natomiast do trawienia SiC użyto plazmy chlorowej BCl₃/Cl₂ oraz plazmy freonowej CF₄. Trawienia GaN i SiC prowadzono przez maski metaliczne (Cr), tlenkowe (SiO₂) oraz...
W artykule przedstawiono badania struktur fotonicznych ze sprzęgaczami siatkowymi. W pierwszej części artykułu przedstawiono zastosowanie powyższych struktur w układach optyki zintegrowanej jako układów wejścia-wyjścia oraz w strukturach sensorowych. W drugiej części artykułu przedstawiono badania tlenku cynku ZnO - transmitancji widmowej oraz badania wykonanej struktury fotonicznej ze sprzęgaczem...
Przedstawiono wyniki charakteryzacji struktur wielowarstwowych Ni/Si dla kontaktów omowych do węglika krzemu. Struktury po kolejnych etapach wygrzewania badane były metodami mikroskopii elektronowej. W warstwach kontaktowych zaobserwowano charakterystyczne defekty: luki oraz nieciągłości rozciągające się poprzez całą grubość warstwy. Zostało zaproponowane wytłumaczenie mechanizmów prowadzących do...
Przeprowadzono badania mające na celu zoptymalizowanie parametrów procesu nanostemplowania w zastosowaniu do wytwarzania periodycznych wzorów pasków o wymiarach 200 nm. W eksperymencie posłużono się stemplem krzemowym wykonanym technikami litografii laserowej trawienia jonowego oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na podłożach krzemowych (100) o wymiarach 1x1 cm pokrytych...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.