Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, an overview of main results concerning THz detection by nanometer field effect transistors (FETs) and heterojunction based transistors (HBTs) is presented. Different GaInAs/InP and GaN/AlGaN nanometer field effect transistors based detectors are presented. We present also first Silicon C-MOS transistors based integrated circuits for wireless communication in sub-THz range. Special attention...
We report on room-temperature detection of sub-terahertz radiation by InP double heterojunction bipolar transistors designed for 100 Gbit/s circuit applications. Maximum responsivity of 250 V/W around 272 GHz were achieved at room-temperature under unbiased base-emitter and base-collector conditions. We show also that these detectors can operate as sensitive broadband THz detectors in THz imaging...
Transistors are possible THz detectors using rectification in the channel that can be applied for detection of high data-rate wireless communications, based on THz-frequency carrier. For the first time, we present the transmission of pseudo-random bit sequence at 0.2 THz using a commercial GaAs transistor and demonstrate open eye patterns up to 0.250 Gbps.
We report on terahertz wireless communication experiments at 0.2 THz, using a commercial GaAs field-effect-transistor as detector. For the first time, we will present the transmission of pseudo-random bit sequence at 0.2 THz using this commercial transistor and demonstrate open eye-patterns up to 1.5 Gbps. This transistor is integrated into a machined horn, so that its sensitivity is improved to 1...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.