Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The effect of point defects, dislocations and grain boundaries on the electron scattering in molybdenum thin films having a constant thickness of 500nm was described quantitatively in form of a dependence of the electrical resistivity on the concentration of impurity atoms, stress-free lattice parameter, microstrain and grain size. The concentration of impurity atoms and the dislocation density were...
Reaction pathways were followed for selenization of CuGa/In precursor structures using in-situ high temperature X-ray diffraction (HTXRD). Precursor films were deposited on Na-free and Na-doped Mo (3 and 5 at %)/Na-free glass. The precursor film was constituted with CuIn, In, Cu9Ga4, Cu3Ga, Cu16In9 and Mo. HTXRD measurements during temperature ramp selenization showed CIS formation occurs first, followed...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.