Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The integration of lanthanum lutetium oxide (LaLuO3) with a n value of 30 is, for the first time, demonstrated on strained and unstrained SOI n/p-MOSFETs as a gate dielectric with a full replacement gate process. The LaLuO3/Si interface showed a very thin silicate/SiO2 interlayer with a Dit level of 4.5 × 1011 (eV · cm2)-1. Fully depleted n/p-MOSFETs with LaLuO3/TiN gate stacks indicated very good...
Integration of lanthanum lutetium oxide (LaLuO3) with a κ value of 30 is demonstrated on high mobility biaxially tensile strained Si (sSi) and compressively strained SiGe for fully depleted n/p-MOSFETs as a gate dielectric. N-MOSFETs on sSi fabricated with a full replacement gate process indicated very good electrical performance with steep subthreshold slopes of ~72 mV/dec and Ion/Ioff ratios up...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.