Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The relationship between structure and electronic properties of phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) thin films was investigated. Samples with different features were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at various substrate temperatures. Raman spectroscopy and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy were used to evaluate the structural evolution,...
The relationship between structure and electronic properties of n-type doped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films was investigated. Samples with different features were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at various substrate temperatures. Raman spectroscopy and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy were used to evaluate the structural evolution, meanwhile,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.