Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Temperature-dependent electroluminescence from a double heterostructure n-Ge/i-Ge0.94Sn0.06/p-Ge LED was studied. The peak position of EL spectra showed a blue-shift as the temperature decreased. A maximum emission power of 7 mW was obtained under the current density of 800 A/cm2.
Room temperature electroluminescence (EL) from Ge/Ge0.92Sn0.08/Ge double heterostructure light-emitting diodes has been observed. Spectrum measurements show an emission peak at 0.601eV, which is attributed to direct bandgap transition.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.