Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper demonstrates the integration of a composite high-κ gate stack (3.3 nm Al2O3-1.0 nm GaSb) with a mixed anion InAs0.8Sb0.2 quantum-well field effect transistor (QWFET). The composite gate stack achieves; (i) EOT of 4.2 nm with <;10-7A/cm2 gate leakage (ii) low Dit interface (~1×1012 /cm2/eV) (iii) high drift μ of 3,900-5,060 cm2/V-s at NS of 5×1011-3×1012/cm2. The InAs0.8Sb0.2 MOS-QWFETs...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.