Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A three-dimensional (3D) analytical model is derived in this paper to predict the temperature distribution in silicon carbide (SiC) MESFET. The analytical results are almost similar to the simulation results obtained by Atlas. The model describes the influence of the structural parameter and input power on temperature distribution. In some previous papers, analytical solution was obtained by the customary...
In this paper, we have analyzed the resistances (specific on-resistance and drain to source resistance) and transconductance of SiC MESFET. Source diffusion, channel, drift region, epi-layer and substrate resistances those contribute to the specific on-resistance have been analyzed. Effect of change in the junction depth due to post annealing on the implant range parameter is also considered. Half...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.