Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An eight stage distributed amplifier with 12.5 dB /spl plusmn/ 0.45 dB gain and 50 GHz bandwidth has been demonstrated in a commercially available 0.1 /spl mu/m metamorphic GaAs HEMT (MHEMT) technology. The amplifier has a minimum noise figure lower than 2.5 dB in the bandwidth. The group delay variation from 9 to 40 GHz is /spl plusmn/ 7.5 ps and circuit consumption is 0.4 W. Such amplifier has been...
An eight stage distributed amplifier with 12.5 dB plusmn 0.45 dB gain and 50 GHz bandwidth has been demonstrated in a commercially available 0.1 mum metamorphic GaAs HEMT (MHEMT) technology. The amplifier has a minimum noise figure lower than 2.5 dB in the bandwidth. The group delay variation, from 9 to 40 GHz is plusmn 7.5 ps and circuit consumption is 0.4 W. Such amplifier has been packaged with...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.