Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Very promising capacitance–voltage (– ) characteristics of capacitors on both p- and n-type Ge substrates are demonstrated by using an in situ plasma passivation and an ambient annealing. The capacitors exhibited a small equivalent oxide thickness of 1.5 nm and a low energy distribution covering...
In this work, the metal gate effective work function (EWF) modulation for the TiN/Ta/TiN/SiO2/p-Si(100) structure was investigated. Comparing with TiN/SiO2/p-Si(100) structure, after annealing the introduction of Ta can effectively reduce the flat band voltage. It is also revealed that although as the thermal budget increases the flat band voltage obviously shifts toward the negative bias direction,...
The properties of ultrathin RuC film and RuC/TaN stack as the Cu diffusion barrier on Si substrate were studied. The results show that the thermal stability of the Cu/RuC/TaN/Si structure is better than that of the Cu/Ru/TaN/Si structure. A flush TaN layer can improve the thermal stability of RuC film and make it a more robust diffusion barrier for Cu metallization.
The enhanced oxidation of Cu on Ru/diffusion barriers was observed. The in-situ X-ray diffraction results reveal that the Cu oxidation can be inhibited by doping C in either Ru adhesion layer or TaN barrier layer. The RuC/barrier becomes more robust with certain amount of C doped in Ru. ALD Cu2O on the RuC substrate was carried out and the effect of C on reduction of Cu oxide was observed.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.