Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The reliability of MANOS devices with an oxide buffer layer (MAONOS) in between SiN trapping layer and high-K Al2O3 top dielectric is extensively studied. We conclude that the primary function of high-K Al2O3 is to suppress the gate electron injection during erase instead of increasing the P/E speed. As a result, inserting a buffer oxide only changes EOT but does not change the P/E mechanisms. On...
The role of AI2O3 in MANOS device is critically examined, and we conclude that its primary function is to reduce gate injection during erase operation. By itself, AI2O3 cannot stop charge leakage from the charge-trapping nitride layer. Furthermore, AI2O3 provides no magic during the erase operation, and MANOS erases very slowly through charge de-trapping. BE-SONOS [1], with the band engineered ONO...
A metal-high-k bandgap-engineered SONOS (MA BE-SONOS) with an additional SiO2 buffer layer is proposed. The thin SiO2 (5 ~ 6 nm) layer between the high-k (Al2O3) and nitride serves to prevent shallow trap generation. Contrary to the previously proposed MANOS or MA BE-SONOS devices using a simple high-k top dielectric, this composite structure eliminates the unstable high-k/nitride interface. Experimental...
In this study, the dependence of the thermal stability of Ni silicide on ILD layer is characterized. Boron and arsenic doped Si substrate were used to represent source/drain of MOSFETs. It is noteworthy that the thermal stability of Ni silicide exhibits different dependence on the stress of ILD layer. In the case of B-doped substrate, stressed Ni silicide always shows degraded characteristics than...
In this paper, the authors propose a novel Ni/Co/Ni/TiN structure to improve the thermal stability of Ni silicide on doped substrate. Two-step RTP is also utilized to increase the thermal stability.
The erase characteristics and mechanism of metal- Al2O3-nitride-oxide-silicon (MANOS) devices are extensively studied. We use transient analysis to transform the erase curve (VFB - time) into a J-E curve (J = transient current, E = field in the tunnel oxide) in order to understand the underlying physics. The measured erase current of MANOS is three orders of magnitude higher than that can be theoretically...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.