Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We perform a detailed study of bias-temperature instabilities and hot-carrier degradation in highly-stable black phosphorus field-effect transistors and attempt to capture the correlation between these phenomena. We demonstrate that a hot-carrier stress applied in conjunction with a bias stress leads neither to a considerably stronger degradation nor to dramatically different recovery dynamics, which...
We examine highly-stable black phosphorus field-effect transistors and demonstrate that they can exhibit reproducible characteristics for over ten months. Nevertheless, we show that the performance of these devices is affected by thermally activated charge trapping in oxide traps. In order to characterize these important traps, we introduce a universal experimental technique which allows for an accurate...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.