Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, pMOSFETs featuring atomic layer deposition (ALD) tungsten (W) using SiH4 and B2H6 precursors in 22 nm node CMOS technology were investigated. It is found that, in terms of threshold voltage, driving capability, carrier mobility, and the control of short-channel effects, the performance of devices featuring ALD W using SiH4 is superior to that of devices featuring ALD W using B2H6. This...
In this study, the integration of SiGe selective epitaxy on source/drain regions and high-k and metal gate for 22 nm node bulk pMOS transistors has been presented. Selective Si1-xGex growth (0.35 ≤ × ≤ 0.40) with boron concentration of 1–3 × 1020 cm−3 was used to elevate the source/drain. The main focus was optimization of the growth parameters to improve the epitaxial quality where the high-resolution...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.