Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The diffusion barrier properties of Co/TaN bilayer as Cu adhesion layer/diffusion barrier on the Si and low k (k = 2.5) substrates were investigated. The barrier was prepared by using ion-beam sputtering technique. The barrier property was investigated by sheet resistance, X-ray diffraction (XRD), and Auger electron spectroscopy (AES) and electrical measurements. No obvious Cu diffusion and agglomeration...
Nickel silicide formation on Si(110) substrate is investigated in this paper. Comparing with the samples fabricated on Si(100) substrate, it is revealed that a higher annealing temperature is required for NiSi formation on Si(110) substrate. X-ray diffraction and atomic force microscopy were employed for further material analysis. NiSi/Si(110) Schottky contacts were also fabricated for electrical...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.