Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this study, we review on SSRM studies on 2D carrier profiles of various devices applications including S/D engineering and failure analysis in real SRAM devices. The correlation of SSRM images with junction leakage current of nMOSs was confirmed. We also directly observed carbon (C) co-doped Si:C nMOSs, clarifying the C doping effect on phosphorous diffusion and therefore on device characteristics...
In this study, we directly observed fail bits of pMOS with Vth variations in SRAM by both SSRM and a nanoprober, clarified that the failure is originated from the phosphorus anomalous diffusion into the pMOS gate bottom. We succeeded in observing the pn-junction boundary within a thin SRAM poly-Si gate with the size of less than 60 nm. The gate-phosphorus doping and STI geometry influence on pn boundary...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.