Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Random telegraph noise (RTN) in high-κ nMOSFETs is directly linked to Positive Bias Temperature Instability (PBTI). For the first time, the correlation between Id- and Ig-RTN is clearly observed in high-κ MOSFET. Ig-RTN is directly related to physical trapping or de-trapping and the Id-RTN reflects sensitivity to charge trapping as determined by gm, which is confirmed by both experiments and TCAD...
Scaling of devices in the semiconductor industry has reached an extremely impressive level; electronic device dimensions are approaching atomic scales and can also have dimensions comparable to many biological microstructures. In this paper, we present an overview of the new challenges in modeling electronics that interface with and bridge into the domains of biotechnology. In particular, we will...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.