Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This study proposes an approach to estimate parasitic capacitance shift under mechanical stress. The silicon-on-insulator n-/p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and CMOS ring oscillators (ROs) were fabricated side by side in this study. External compressive stresses were applied on a <;110> strained channel of n-/p-MOSFETs and ROs in longitudinal and transverse configurations...
Based on the Reaction-Diffusion framework, an improved NBTI model is proposed with the consideration of moving diffusion front in oxide and poly-Si layer. The dependence of degradation on channel length and width is taken into account simultaneously for the first time. The model is implemented with Verilog-A to be compatible with commercial simulators and verified by experimental data.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.