Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Light‐Emitting Diodes
In article number 2306132, Tongbo Wei and co‐workers demonstrate a pioneering technology for growing 3D semiconductor films on 2D materials, namely van der Waals epitaxy, which both relaxes the lattice and thermal matching requirements between the epilayer and substrate, and enables the exfoliation of epilayers for flexible optoelectronic devices, such as flexible displays.
Epitaxy growth and mechanical transfer of high‐quality III‐nitrides using 2D materials, weakly bonded by van der Waals force, becomes an important technology for semiconductor industry. In this work, wafer‐scale transferrable GaN epilayer with low dislocation density is successfully achieved through AlN/h‐BN composite buffer layer and its application in flexible InGaN‐based light‐emitting diodes (LEDs)...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.