Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have successfully fabricated a 0.5 nm FUSI-NiSi/ HfO2 HfSiOx/ Si gate stack structure with the gate-first process. The HfSiOx interfacial layer was formed by the cycle-by-cycle deposition and annealing process, followed by the in-situ layer-by-layer deposition and annealing for HfO2 growth. The gate leakage current of ~ 10 A/cm at Vfb - 1.0 V and the effective electron mobilityof 120 cm2/Vs at...
We show that the mobility degradation at low fields is predominantly due to a dipole layer intrinsically formed at the HfO2/SiO2 interface. This dipole layer is also responsible for the anomalousVFB (VTH) shift in high-k MOSFETs. Contribution of remote phonon scattering to the mobility degradation is very little, as revealed by comparing the mobility behaviors for MOSFETs with different crystal symmetry...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.