Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Sub-threshold characteristics of a 0.2 mum self-aligned gate (SAG) capless InAlAs/InGaAs p-HEMT having a highly strained InAs sub-channel were investigated. The extracted ION/IOFF ratio and sub-threshold slope of the SAG capless HEMT (1.27times104 and 78 mV/dec) was better than those of the conventional recessed p-HEMT (5.1times103 and 120 mV/dec), respectively. The capless p-HEMT showed an ION/I...
Electrical and structural properties of low-temperature-grown In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As (LT-InGaAs) on GaAs using an InGaAlAs metamorphic buffer (M-buffer) were studied. Dependence of carrier lifetime of the LT-InGaAs on post thermal annealing was also investigated. Utilization of residual dislocation in the LT-InGaAs on the M-buffer was effective in reducing the carrier lifetime, producing the carrier...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.